现代制造工程 ›› 2017, Vol. 437 ›› Issue (2): 30-34.doi: 10.16731/j.cnki.1671-3133.2017.02.006
黄华栋1,2, 卞达2, 杨大林2, 赵永武2, 吴冬燕1
Huang Huadong1,2, Bian Da2, Yang Dalin2, Zhao Yongwu2, Wu Dongyan1
摘要: 将化学机械抛光技术(Chemical Mechanical Polishing,CMP)引入到镁合金片的抛光中,以硅溶胶、表面活性剂、螯合剂及pH调节剂为原料,以涡流搅拌的方法制备镁合金(AZ91D)抛光液。采用单因素法分析抛光过程中压力、转速、抛光液流量及抛光时间等参数对抛光效果的影响。实验结果表明:在压力为0.06MPa,抛光盘上盘转速为10r/min、下盘转速为50r/min,抛光液流量为160mL/min,抛光时间为8min的条件下,镁合金表面形貌良好;在此工艺条件下经过化学机械抛光后,镁合金表面粗糙度Ra能达到10nm。
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