摘要： 采用胶体二氧化硅作为磨粒,研究了两性离子表面活性剂月桂酰胺基烷基甘氨酸（NL）在抛光液pH值为6～12时对A向蓝宝石晶片化学机械抛光（CMP）抛光效果的影响。结果表明,在抛光液pH6～pH10时,两性离子表面活性剂对蓝宝石晶片的材料去除有抑制作用;在pH11～pH12时可促进蓝宝石晶片的材料去除;当抛光液pH值为12时,材料去除率达最大值2 202 nm/h,抛光表面的表面粗糙度为0.807 nm。通过测量抛光液的磨粒表面Zeta电位和粒径分布以及观察磨粒在晶片表面的吸附行为,分析了其抛光机理。两性离子表面活性剂改变了A向蓝宝石晶片抛光过程中磨粒与晶片表面间的静电相互作用力,进而对抛光效果产生了较大的影响。

关键词: 蓝宝石;化学机械抛光;表面活性剂;材料去除率;表面粗糙度

中图分类号: 

• TN305.2

• O786

• TQ423